檢索結果:共10筆資料 檢索策略: "Kuei-Yi Lee".ecommittee (精準) and cadvisor.raw="葉秉慧"
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本論文研製積體化紫外光感測器與LED警示燈。所使用的晶圓為商用氮化鎵晶圓,經由光罩設計與利用矽擴散(Silicon Diffusion)製程,達到選擇性地將部分最上層的p-GaN反轉成n-GaN,使…
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本論文研究積體化氮化鎵光電晶體光偵測器與七段顯示器的元件製作、模組電路設計與特性量測。光電晶體可以放大光電流,氮化鎵光電晶體適合偵測環境的紫外線照度,與七段顯示器積體化可顯示紫外線危險級數或顯示…
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本論文研究積體化氮化鎵發光二極體與光偵測器模組的電路設計與特性量測。量測本實驗室積體化製程製作的兩種光偵測器(p-i-n結構以及n-p-i-n結構光電晶體)的特性包括暗電流、外部量子效率、在不同偏壓…
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本論文研製積體化氮化鎵發光二極體與監控發光強度的光偵測器,量測其發光二極體基本光電特性、p-i-n光偵測器基本光電特性、p-i-n光偵測器室溫下暗電流以及在與發光二極體不同距離下p-i-n光偵測器所…
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發光二極體LED (Light Emitting Doide)其用途及性能都極為廣泛,但發光二極體主要是在藍寶石基板上磊晶,所以散熱一直是個問題,為了改善這問題,而利用覆晶封裝及雷射剝離藍寶石基…
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本論文使用具有超晶格(Super Lattice)結構的電子阻擋層(Electron Blocking Layer, EBL)的商用氮化鎵藍光LED晶圓,利用矽擴散的方式,將最上層的p-GaN反轉成…
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本論文使用商用氮化鎵發光二極體晶圓,晶圓編號為ELV(紫光)與FEB(藍光),在這兩片晶圓上製作出p-i-n光偵測器與發光二極體(LED)。兩種元件設計的差異主要是p型歐姆接觸金屬ITO面積的範圍,…
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本論文使用學長製作出的氮化鎵光電晶體光偵測器,量測出其暗電流(Dark current)、外部量子效應(EQE)、計算出響應率、響應時間、響應的雜訊以及不同光強度下的電壓訊號。量測的元件為n-p-i…
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本論文我們製作了近紫外光p-i-n偵測器與異質接面光電晶體(Heterojunction phototransistors, HPTs)。兩種光偵測器都是設計了兩種形狀,有方型與長型。異質接面光電晶…
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由於希望在未來可以將光電元件與電子元件積體化,而製作電子元件時大部分的基板都是矽,最近氮化鎵晶圓廠商開始商品化氮化鎵磊晶在矽基板(GaN-on-Si)。而在過去,本實驗室是以氮化鎵磊晶在藍寶石…